HGTG30N60C3D, БТИЗ транзистор, 63 А, 1.8 В, 208 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов), ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

150 ° C
• 208 Вт Общая рассеиваемая мощность при TC = 25 ° C

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

HGTG30N60C3D

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1811037

Максимальная рабочая температура

150 C

Вес, г

5.67

DC Ток Коллектора

63А

Напряжение Коллектор-Эмиттер

600в

Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)

1.8В

Рассеиваемая Мощность

208Вт

Стиль Корпуса Транзистора

to-247

Количество Выводов

3вывод(-ов)

HGTG30N60C3D, БТИЗ транзистор, 63 А, 1.8 В, 208 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов) - характеристики, поставщики