ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
HGTG27N120BN, 72A/1200V N- - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
HGTG27N120BN, 72A/1200V N-
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
HGTG27N120BN, 72A/1200V N-
Последняя цена
390 руб.
Сравнить
Описание
IGBT NPT 1200V 72A 500W Through Hole TO-247-3
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
HGTG27N120BN
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1771264
Технические параметры
Вес, г
4.99
Максимальное напряжение КЭ ,В
1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.7
Корпус
to-247
Управляющее напряжение,В
9.2
Технология/семейство
npt
Наличие встроенного диода
нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
72
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
500
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
195
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А
216
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
24
Структура
n-канал
Дополнительные опции
выдерживает 8мкс кз
Техническая документация
IGBT транзисторы , pdf
, 368 КБ
Datasheet HGTG27N120BN , pdf
, 386 КБ