HGTG20N60B3 [HG20N60B3], Транзистор IGBT UFS 600В 40А 165Вт [TO-247AC], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

25 ° С

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

HGTG20N60B3 [HG20N60B3]

P/N

HGTG20N60B3

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1771262

Вес, г

7.5

Максимальное напряжение КЭ ,В

600

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

Корпус

to-247

Управляющее напряжение,В

Технология/семейство

ufs

Наличие встроенного диода

нет

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

165

Рабочая температура (Tj), °C

-40…+150

Импульсный ток коллектора (Icm), А

160

Структура

n-канал

Дополнительные опции

выдерживает 4мкс кз

HGTG20N60B3 [HG20N60B3], Транзистор IGBT UFS 600В 40А 165Вт [TO-247AC] - характеристики, поставщики