ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
HGTG20N60A4D, БТИЗ транзистор, 70 А, 2.7 В, 290 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
HGTG20N60A4D, БТИЗ транзистор, 70 А, 2.7 В, 290 Вт, 600 В, TO-247, 3 в…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
HGTG20N60A4D, БТИЗ транзистор, 70 А, 2.7 В, 290 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Последняя цена
790 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
125 ° C Время падения
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
HGTG20N60A4D
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1244242
Технические параметры
Максимальная рабочая температура
150 C
DC Ток Коллектора
70А
Напряжение Коллектор-Эмиттер
600в
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
2.7В
Рассеиваемая Мощность
290Вт
Стиль Корпуса Транзистора
to-247
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Техническая документация
Datasheet HGTG20N60A4D , pdf
, 253 КБ