ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
HGTG12N60C3D, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
HGTG12N60C3D, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
HGTG12N60C3D, Транзистор
Последняя цена
255 руб.
Сравнить
Описание
IGBT 600V 24A 104W Through Hole TO-247-3
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
HGTG12N60C3D
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1771259
Технические параметры
Base Product Number
HGTG12N60 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max)
24A
Current - Collector Pulsed (Icm)
96A
Gate Charge
48nC
Power - Max
104W
Switching Energy
380ВµJ (on), 900ВµJ (off)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Reverse Recovery Time (trr)
42ns
Техническая документация
Datasheet HGTG12N60C3D , pdf
, 349 КБ
Datasheet HGTG12N60C3D , pdf
, 244 КБ
