HGTG12N60A4D, БТИЗ транзистор, 54 А, 2.7 В, 167 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов), ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные

125 ° C Время падения

Производитель

ONSEMI

Артикул

HGTG12N60A4D

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1244241

Максимальная рабочая температура

150 C

Вес, г

DC Ток Коллектора

54А

Напряжение Коллектор-Эмиттер

600в

Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)

2.7В

Рассеиваемая Мощность

167Вт

Стиль Корпуса Транзистора

to-247

Количество Выводов

3вывод(-ов)

HGTG12N60A4D, БТИЗ транзистор, 54 А, 2.7 В, 167 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов) - характеристики, поставщики