HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Корпус TO-247-3

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

HGTG10N120BND

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1771256

Вес, г

7.5

Максимальное напряжение КЭ ,В

1200

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

2.7

Корпус

to-247

Управляющее напряжение,В

6.8

Технология/семейство

npt

Наличие встроенного диода

да

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

298

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс

165

Рабочая температура (Tj), °C

-55…+150

Импульсный ток коллектора (Icm), А

Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс

Структура

n-канал

HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247] - характеристики, поставщики