HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK], Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

HGT1S7N60C3DS9A

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1771255

Вес, г

2.5

Максимальное напряжение КЭ ,В

600

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

Корпус

TO-263AB

Управляющее напряжение,В

Технология/семейство

ufs

Наличие встроенного диода

да

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

Рабочая температура (Tj), °C

-40…+150

Импульсный ток коллектора (Icm), А

Структура

n-канал+диод

HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK] - характеристики, поставщики