HFA3127BZ, Массив биполярных транзисторов, NPN, 8 В, 37 мА, 150 мВт, 130 hFE, SOIC, Renesas Technology - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1400 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT

• 3,5 дБ Коэффициент шума (50R) на частоте 1 ГГц
•, lt; 1 пА Утечка от коллектора к коллектору
• Полная изоляция между транзисторами

Информация

Производитель

Renesas Technology

Артикул

HFA3127BZ

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1243971

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

125 C

Количество Выводов

16вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 3 - 168 часов

Напряжение Коллектор-Эмиттер

8В

Стиль Корпуса Транзистора

SOIC

Рассеиваемая Мощность

150мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

37мА

DC Усиление Тока hFE

130hFE

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.354

Base Product Number

HFA3127 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

65mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

8GHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

16-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)

Power - Max

150mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

16-SOIC

Transistor Type

5 NPN

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

12V

Noise Figure (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Техническая документация

Datasheet HFA3127BZ , pdf , 419 КБ
Datasheet , pdf , 785 КБ

HFA3127BZ, Массив биполярных транзисторов, NPN, 8 В, 37 мА, 150 мВт, 130 hFE, SOIC - характеристики, поставщики

Последняя цена 1400 руб.

Техническая документация