GT50JR21, IGBT, 50 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 530 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Дискретные IGBT, Toshiba

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

GT50JR21

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1240770

Технические параметры

Тип корпуса

TO-3P

Brand

Toshiba

Package Type

TO-3P

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

15.5мм

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Power Dissipation

230 W

Width

4.5мм

Height

20мм

Pin Count

Dimensions

15.5 x 4.5 x 20mm

Switching Speed

1МГц

Maximum Gate Emitter Voltage

±25V

Channel Type

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное рассеяние мощности

230 Вт

Число контактов

Размеры

15.5 x 4.5 x 20мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±25V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+175 °C

GT50JR21, IGBT, 50 A 600 V, 3-Pin TO-3P - характеристики, поставщики

Последняя цена 530 руб.