ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
GT30J121, IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3P - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
GT30J121, IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3P
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
GT30J121, IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3P
Последняя цена
460 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Дискретные IGBT, Toshiba
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
GT30J121
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1240767
Технические параметры
Brand
Toshiba
Package Type
TO-3P
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
30 A
Maximum Power Dissipation
170 W
Width
4.8мм
Height
20мм
Pin Count
3
Dimensions
15.9 x 4.8 x 20mm
Switching Speed
1МГц
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N