GD600HFX65C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 768 А, 1.45 В, 1.875 кВт, 150 °C, Module - характеристики, поставщики



GD600HFX65C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 768 А, 1.45 В, 1.875 кВт, 150 °C, Module

Последняя цена 17530 руб.
GD600HFX65C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 768 А, 1.45 В, 1.875 кВт, 150 °C, Module

Техническая документация
  • Datasheet GD600HFX65C2S , pdf , 189 КБ