ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FZT651TA, Транзистор 60В NPN транзистор SOT223 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
FZT651TA, Транзистор 60В NPN транзистор SOT223
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
FZT651TA, Транзистор 60В NPN транзистор SOT223
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Корпус TO261
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
FZT651TA
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2163329
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.1
Base Product Number
FZT651 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
3A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
175MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Power - Max
2W
REACH Status
REACH Affected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
DiodesZetex
Maximum DC Collector Current
3A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Pd - Power Dissipation
2W
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
NPN
Размеры
1.65 x 6.55 x 3.55мм
Высота
1.65мм
Длина
6.55мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
3.55мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,6 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
175 МГц
Число контактов
3 + Tab
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.25 V
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Страна происхождения
DE
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
Datasheet , pdf
, 496 КБ
Datasheet FZT651TA , pdf
, 336 КБ
Datasheet , pdf
, 501 КБ