ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FZT649, Транзистор NPN 25В 3A [SOT-223] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FZT649, Транзистор NPN 25В 3A [SOT-223]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
FZT649, Транзистор NPN 25В 3A [SOT-223]
Последняя цена
22 руб.
Сравнить
Описание
Малосигнальные NPN-транзисторы, до 30 В, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FZT649
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1746540
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.39
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
35 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN-NO/NC
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.7мм
Высота
1.7мм
Длина
6.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
3.7мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
300 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
25 В
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3 + 1 (Tab)
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.25 V
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Техническая документация
Datasheet FZT649 , pdf
, 161 КБ
Datasheet FZT649 , pdf
, 47 КБ