ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FZT605TA, Биполярный транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
FZT605TA, Биполярный транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
FZT605TA, Биполярный транзистор
Последняя цена
26 руб.
Сравнить
Описание
Darlington Transistors, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
FZT605TA
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1627481
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Base Product Number
FZT605 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)
10ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
2000 @ 1A, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
150MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Power - Max
2W
REACH Status
REACH Affected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1,5 В
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
DiodesZetex
Package Type
SOT-223
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum DC Collector Current
1.5A
Height
1.65мм
Pin Count
3 + Tab
Maximum Emitter Base Voltage
10 В
Minimum DC Current Gain
500
Collector-Emitter Breakdown Voltage
120V
Pd - Power Dissipation
2W
Максимальное напряжение коллектор-база
140 V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
NPN
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.65мм
Pd - рассеивание мощности
2 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.65мм
Длина
6.7мм
Категория продукта
Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
500, 2000, 5000
Конфигурация
Single Dual Collector
Максимальный постоянный ток коллектора
1.5 A
Максимальный ток отсечки коллектора
0.01 uA
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
140 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
120 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
10 V
Непрерывный коллекторный ток
1.5 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
FZT605
Тип продукта
Darlington Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-223
Ширина
3.7мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
120 V
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 V
Число контактов
3 + Tab
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1,8 В
Тип корпуса
SOT-223
Maximum Collector Cut-off Current
0.00001mA
Maximum Continuous Collector Current
1.5 A
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.8 V
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
500
Максимальный непрерывный ток коллектора
1,5 A
Максимальный запирающий ток коллектора
0.00001mA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 651 КБ
Datasheet FZT605TA , pdf
, 604 КБ