ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FS75R12KE3GBOSA1, , ECONO3 , N-Channel 3 Phase Bridge IGBT Module, 100 A max, 1200 V, PCB Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
FS75R12KE3GBOSA1, , ECONO3 , N-Channel 3 Phase Bridge IGBT Module, 100…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FS75R12KE3GBOSA1, , ECONO3 , N-Channel 3 Phase Bridge IGBT Module, 100 A max, 1200 V, PCB Mount
Последняя цена
14060 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Модули IGBT, Infineon
Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения для переключения частот до 60 кГц. БТИЗ охватывают ряд силовых модулей, таких как пакеты ECONOPACK с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, полумостовые прерыватели PrimePACK IGBT с NTC до 1600/1700 В. PrimePACK IGBT № 146 можно найти в промышленных, коммерческих, строительных и сельскохозяйственных транспортных средствах. Модули N-Channel TRENCHSTOP TM и Fieldstop IGBT подходят для приложений с жестким и мягким переключением, таких как инверторы, ИБП и промышленные приводы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
FS75R12KE3GBOSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1234645
Технические параметры
Производитель
Infineon
Тип корпуса
Econo3
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Base Product Number
FS75R12 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Chassis Mount
Operating Temperature
-40В°C ~ 125В°C
Package
Tray
Package / Case
Module
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
Module
Transistor Configuration
Трехфазный
Длина
122мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 A
Максимальное рассеяние мощности
355 Вт
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
17мм
Число контактов
35
Размеры
122 x 62 x 17мм
Скорость переключения
1МГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Current - Collector (Ic) (Max)
100A
Power - Max
355W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Ширина
62мм
Конфигурация
3-фазный мост
Configuration
Three Phase Inverter
Current - Collector Cutoff (Max)
5mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
5.3nF @ 25V
NTC Thermistor
Yes
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 456 КБ