FS45MR12W1M1B11BOMA1, Trans MOSFET N-CH 1.2KV 25A 22-Pin AG-EASY1BM Tray, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 13750 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Дискретные полупроводниковые модули LOW POWER EASY

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

FS45MR12W1M1B11BOMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2409296

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Рассеиваемая Мощность

20мВт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

25А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.045Ом

Пороговое Напряжение Vgs

4.5В

Линейка Продукции

EasyPACK CoolSiC Series

Series

CoolSiCв„ў+ ->

Минимальная рабочая температура

40 C

Base Product Number

FS45MR12 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

25A (Tj)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

ECCN

EAR99

FET Type

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 15V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1840pF @ 800V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tray

Package / Case

Module

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 25A, 15V (Typ)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

AG-EASY1BM-2

Vgs(th) (Max) @ Id

5.55V @ 10mA

FET Feature

Silicon Carbide (SiC)

Power - Max

20mW (Tc)

Id - непрерывный ток утечки

25 A

Pd - рассеивание мощности

20 mW

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

45 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V, 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.45 V

Вид монтажа

Screw Mount

Время нарастания

6.3 ns

Время спада

16.4 ns

Другие названия товара №

FS45MR12W1M1_B11 SP001686600

Категория продукта

Дискретные полупроводниковые модули

Коммерческое обозначение

CoolSiC ~ EasyPACK ~ PressFIT

Конфигурация

Hex

Подкатегория

Discrete Semiconductor Modules

Размер фабричной упаковки

Серия

Discrete IGBT6.2

Тип продукта

Discrete Semiconductor Modules

Типичное время задержки выключения

35.2 ns

Типичное время задержки при включении

8.2 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

Module

Продукт

Power MOSFET Modules

Тип

EasyPACK Module

Упаковка

Tray

Vr - обратное напряжение

1200 V

Vf - прямое напряжение

4.6 V

Техническая документация

Datasheet FS45MR12W1M1B11BOMA1 , pdf , 524 КБ
Datasheet FS45MR12W1M1B11BOMA1 , pdf , 559 КБ
Datasheet FS45MR12W1M1B11BOMA1 , pdf , 498 КБ

FS45MR12W1M1B11BOMA1, Trans MOSFET N-CH 1.2KV 25A 22-Pin AG-EASY1BM Tray - характеристики, поставщики

Последняя цена 13750 руб.

Техническая документация