ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FS200R12KT4RBOSA1, Модуль транзистора IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
FS200R12KT4RBOSA1, Модуль транзистора IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FS200R12KT4RBOSA1, Модуль транзистора IGBT
Последняя цена
23230 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Модули IGBT, Infineon
Модули IGBT
Infineon
предлагают низкие потери переключения для переключения частот до 60 кГц.
IGBT охватывают ряд силовых модулей, таких как пакеты ECONOPACK с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, полумостовые прерыватели PrimePACK IGBT с NTC до 1600/1700 В. PrimePACK IGBT можно найти в промышленных, коммерческих, строительных и сельскохозяйственных транспортных средствах. Модули N-Channel TRENCHSTOP TM и Fieldstop IGBT подходят для приложений с жестким и мягким переключением, таких как инверторы, ИБП и промышленные приводы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
FS200R12KT4RBOSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1234575
Технические параметры
Производитель
Infineon
Тип корпуса
EconoPACK 3
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Base Product Number
FS200R12 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Chassis Mount
Operating Temperature
-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Bulk
Package / Case
Module
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
Module
Transistor Configuration
Трехфазный
Длина
122мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
280 А
Максимальное рассеяние мощности
1 кВт
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
17мм
Число контактов
35
Размеры
122 x 62 x 17мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Current - Collector (Ic) (Max)
280A
Power - Max
1000W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+150 °C
IGBT Type
NPT
Ширина
62мм
Конфигурация
3-фазный мост
Configuration
Three Phase Inverter
Вес, г
5
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
14nF @ 25V
NTC Thermistor
Yes
Техническая документация
Datasheet FS200R12KT4RBOSA1 , pdf
, 707 КБ
