ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FS15R12VT3BOMA1, , EASY750 , N-Channel 3 Phase Bridge IGBT Module, 24 A max, 1200 V, PCB Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
FS15R12VT3BOMA1, , EASY750 , N-Channel 3 Phase Bridge IGBT Module, 24…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FS15R12VT3BOMA1, , EASY750 , N-Channel 3 Phase Bridge IGBT Module, 24 A max, 1200 V, PCB Mount
Последняя цена
2100 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Модули IGBT, Infineon
Модули IGBT
Infineon
предлагают низкие потери переключения для переключения частот до 60 кГц.
IGBT охватывают ряд силовых модулей, таких как пакеты ECONOPACK с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, полумостовые прерыватели PrimePACK IGBT с NTC до 1600/1700 В. PrimePACK IGBT можно найти в промышленных, коммерческих, строительных и сельскохозяйственных транспортных средствах. Модули N-Channel TRENCHSTOP TM и Fieldstop IGBT подходят для приложений с жестким и мягким переключением, таких как инверторы, ИБП и промышленные приводы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
FS15R12VT3BOMA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1234567
Технические параметры
Тип корпуса
EASY750
Brand
Infineon
Mounting Type
Монтаж на печатную плату
Length
32.4mm
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 В
Maximum Continuous Collector Current
24 A
Maximum Power Dissipation
86 W
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Pin Count
11
Dimensions
32.4 x 25.4 x 12mm
Switching Speed
1МГц
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Конфигурация транзистора
Трехфазные
Высота
12мм
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Ширина
25.4мм
Конфигурация
3-фазный мост
Вес, г
13