FS100R12KT4GBOSA1, Модуль IGBT, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 15590 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Модули IGBT, Infineon
Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения для переключения частот до 60 кГц. БТИЗ охватывают ряд силовых модулей, таких как пакеты ECONOPACK с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, полумостовые прерыватели PrimePACK IGBT с NTC до 1600/1700 В. PrimePACK IGBT № 146 можно найти в промышленных, коммерческих, строительных и сельскохозяйственных транспортных средствах. Модули N-Channel TRENCHSTOP TM и Fieldstop IGBT подходят для приложений с жестким и мягким переключением, таких как инверторы, ИБП и промышленные приводы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

FS100R12KT4GBOSA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1234541

Технические параметры

Производитель

Infineon

Тип корпуса

AG-ECONO3-4

Тип монтажа

Монтаж на панель

Base Product Number

FS100R12 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C

Package

Bulk

Package / Case

Module

REACH Status

REACH Unaffected

Supplier Device Package

Module

Transistor Configuration

Трехфазный

Длина

122мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 A

Максимальное рассеяние мощности

515 Вт

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Высота

17мм

Размеры

122 x 62 x 17мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Current - Collector (Ic) (Max)

100A

Power - Max

515W

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+150 °C

IGBT Type

Trench Field Stop

Ширина

62мм

Конфигурация

3-фазный мост

Configuration

Three Phase Inverter

Pd - рассеивание мощности

515 W

Вид монтажа

Chassis Mount

Категория продукта

Модули биполярных транзисторов с изолированным зат

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.2 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

100 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Modules

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tray

Упаковка / блок

Econo 3

Current - Collector Cutoff (Max)

1mA

Input

Standard

Input Capacitance (Cies) @ Vce

6.3nF @ 25V

NTC Thermistor

Yes

Другие названия товара №

FS100R12KT4GBOSA1 SP000379671

Продукт

IGBT Silicon Modules

Коммерческое обозначение

TRENCHSTOP

Техническая документация

Datasheet , pdf , 506 КБ
Datasheet FS100R12KT4G , pdf , 473 КБ

FS100R12KT4GBOSA1, Модуль IGBT - характеристики, поставщики

Последняя цена 15590 руб.

Техническая документация