FS100R12KE3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 140 А, 1.7 В, 480 Вт, 1.2 кВ, Module, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 25360 руб.

Сравнить

Описание

Модуль IGBT NPT, одиночный, 1200 В, 140 А, 480 Вт, модуль для монтажа на шасси

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

FS100R12KE3BOSA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1810305

Технические параметры

Base Product Number

FS100R12 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 125В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

Module

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

Module

Current - Collector (Ic) (Max)

140A

Power - Max

480W

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 100A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

IGBT Type

NPT

Configuration

Single

Вес, г

348.8

Current - Collector Cutoff (Max)

5mA

Input

Standard

Input Capacitance (Cies) @ Vce

7.1nF @ 25V

NTC Thermistor

Техническая документация

Datasheet , pdf , 450 КБ

FS100R12KE3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 140 А, 1.7 В, 480 Вт, 1.2 кВ, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 25360 руб.

Техническая документация