FQT1N80TF-WS, МОП-транзистор, N Канал, 200 мА, 800 В, 15.5 Ом, 10 В, 5 В
FQT1N80TF_WS - это N-канальный силовой МОП-транзистор QFET® с улучшенным режимом работы, изготовленный с использованием патентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для уменьшения сопротивления в открытом состоянии и обеспечения превосходных характеристик переключения и высокой лавинной энергии. Это устройство подходит для импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности (PFC) и электронных балластов ламп.
• Низкий заряд затвора (5,5 нКл) • Низкий коэффициент сжатия (2,7 пФ) • 100% лавинное испытание
