FQT1N60CTF-WS, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 120мА, 2,1Вт, SOT223, QFET®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 73 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQT1N60CTF_WS

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2188658

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.16

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.5мм

Brand

ON Semiconductor

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Ширина

3.5мм

Конфигурация

Одиночный

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

SOT-223

Pin Count

3 + Tab

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

4000

Серия

FQT1N60C

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

6.5 mm

Высота

1.6мм

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Id - непрерывный ток утечки

200 mA

Pd - рассеивание мощности

2.1 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-223-4

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

11.5 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Number of Elements per Chip

Maximum Power Dissipation

2,1 Вт

Qg - заряд затвора

6.2 nC

Время нарастания

21 ns

Время спада

27 ns

Коммерческое обозначение

QFET

Типичное время задержки выключения

13 ns

Типичное время задержки при включении

7 ns

Другие названия товара №

FQT1N60CTF_WS

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

200mA(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

2.1W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet FQT1N60CTF-WS , pdf , 1193 КБ
Datasheet , pdf , 1222 КБ
Datasheet FQT1N60CTF-WS , pdf , 1038 КБ

FQT1N60CTF-WS, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 120мА, 2,1Вт, SOT223, QFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 73 руб.

Техническая документация