ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQPF47P06, Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FQPF47P06, Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQPF47P06, Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Последняя цена
203 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor, новые планарные МОП-транзисторы QFET®, основанные на передовой запатентованной технологии, обеспечивают лучшие в своем классе рабочие характеристики для широкого спектра приложений , включая источники питания, PFC (коррекция коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, панели плазменных дисплеев (PDP), пускорегулирующие аппараты и управление движением.
Они обеспечивают снижение потерь во включенном состоянии за счет снижения сопротивления во включенном состоянии (RDS (на )), а также снижение потерь при переключении за счет снижения заряда затвора (Qg) и выходной емкости (Coss). Используя передовую технологию процесса QFET®, Fairchild может предложить улучшенный показатель качества (FOM) по сравнению с конкурирующими устройствами планарных MOSFET.
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FQPF47P06
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2412265
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Полярность Транзистора
P-Channel
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное рассеяние мощности
62 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.7
Высота
9.19мм
Количество элементов на ИС
1
Brand
ON Semiconductor
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
26 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Pin Count
3
Номер канала
Поднятие
Тип канала
A, P
Id - непрерывный ток утечки
30 A
Pd - рассеивание мощности
62 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
26 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
25 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
450 ns
Время спада
195 ns
Длина
10.16мм
Другие названия товара №
FQPF47P06_NL
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
QFET
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
19 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
QFET
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
100 нс
Типичное время задержки при включении
50 ns
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок
TO-220FP-3
Тип
MOSFET
Упаковка
Tube
Тип корпуса
TO-220F
Размеры
10.16 x 4.7 x 9.19мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
50 ns
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
84 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
2800 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Power Dissipation
62 Вт
Width
4.7мм
Height
9.19мм
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Channel Mode
Поднятие
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1125 КБ