ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQPF15P12, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 120 В, 15 А, 0.17 Ом, TO-220F, Through Hole - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FQPF15P12, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 120 В, 15 А, 0.17 Ом, TO-2…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQPF15P12, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 120 В, 15 А, 0.17 Ом, TO-220F, Through Hole
Последняя цена
310 руб.
Сравнить
Описание
P-канал 120V 15A (Tc) 41W (Tc) сквозное отверстие TO-220F
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FQPF15P12
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1813471
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220F
Рассеиваемая Мощность
41Вт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
120В
Непрерывный Ток Стока
15А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.17Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
4В
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
3.81
Линейка Продукции
QFET Series
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 955 КБ