FQP6N90C, Транзистор N-MOSFET 900В 6А [TO-220]
FQP6N90C - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор QFET® с улучшенным режимом, изготовленный с использованием патентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для уменьшения сопротивления в открытом состоянии и обеспечения превосходных характеристик переключения и высокой лавинной энергии. Это устройство подходит для импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности (PFC) и электронных балластов ламп.
• Низкий заряд затвора (30 нКл) • Низкий коэффициент сопротивления (11 пФ) • 100% лавинные испытания
![FQP6N90C, Транзистор N-MOSFET 900В 6А [TO-220]](/file/p_img/1234122.jpg)