FQP45N15V2, Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 31А, 220Вт, TO220, QFET®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 350 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

• 100% лавинные испытания
• Типичный низкий заряд затвора 72 нКл
• Типичный низкий уровень Crss 135 пФ

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQP45N15V2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2095902

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.96

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.7 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

FQP45N15V2

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

10.67 mm

Высота

16.3 mm

Id - непрерывный ток утечки

45 A

Pd - рассеивание мощности

220 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

150 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

40 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

FQP4 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

40 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

45A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3030pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

220W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 22.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Series

QFETВ® ->

Qg - заряд затвора

94 nC

Время нарастания

232 ns

Время спада

246 ns

Коммерческое обозначение

QFET

Типичное время задержки выключения

224 ns

Типичное время задержки при включении

22 ns

Другие названия товара №

FQP45N15V2_NL

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

45A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

220W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

150V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1133 КБ
Datasheet , pdf , 1129 КБ
Datasheet , pdf , 1128 КБ
Datasheet FQP45N15V2 , pdf , 1116 КБ

FQP45N15V2, Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 31А, 220Вт, TO220, QFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 350 руб.

Техническая документация