FQP20N06L, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 21 А, 0.042 Ом, TO-220AB, Through Hole, ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

The FQP20N06L is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

• 100% avalanche tested
• 9.5nC typical low gate charge
• 35pF typical low Crss

Информация

Производитель

ONSEMI

Артикул

FQP20N06L

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1234106

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-220AB

Рассеиваемая Мощность

53Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

60В

Непрерывный Ток Стока

21А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.042Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

2.5В

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

1.8

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1-Безлимитный

Техническая документация

Datasheet FQP20N06L , pdf , 722 КБ
Datasheet , pdf , 774 КБ

FQP20N06L, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 21 А, 0.042 Ом, TO-220AB, Through Hole - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация