FQP11N40C, Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 6,6А, 135Вт, TO220AB, QFET®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 310 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

QFET® N-Channel MOSFET, от 6А до 10.9A, Fairchild Semiconductor
Новые планарные МОП-транзисторы QFET® компании Fairchild® используют передовую запатентованную технологию, обеспечивающую лучшие в своем классе рабочие характеристики для широкий спектр приложений, включая источники питания, PFC (коррекция коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, панели плазменных дисплеев (PDP), пускорегулирующие аппараты и управление движением.
Они обеспечивают снижение потерь во включенном состоянии за счет снижения на- сопротивление (RDS (on)) и уменьшенные потери переключения за счет снижения заряда затвора (Qg) и выходной емкости (Coss). Используя передовую технологию процесса QFET®, Fairchild может предложить улучшенный показатель качества (FOM) по сравнению с конкурирующими устройствами планарных MOSFET.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQP11N40C

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2172187

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.94

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.1мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Тип корпуса

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

4.7

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

QFET

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

10.1мм

Высота

9.4мм

Размеры

10.1 x 4.7 x 9.4мм

Id - непрерывный ток утечки

11 A

Pd - рассеивание мощности

135 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

400 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

7.1 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

FQP1 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

10,5 А

Максимальное рассеяние мощности

135 W

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

530 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

400 V

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

840 pF @ 25 V

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

530 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

10.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

135W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

530mOhm @ 5.25A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Maximum Power Dissipation

135 Вт

Series

QFET

Typical Gate Charge @ Vgs

28 нКл при 10 В

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Qg - заряд затвора

35 nC

Время нарастания

89 ns

Время спада

81 ns

Коммерческое обозначение

QFET

Типичное время задержки выключения

81 ns

Типичное время задержки при включении

14 ns

Типичное время задержки включения

14 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

28 nC @ 10 V

Другие названия товара №

FQP11N40C_NL

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Техническая документация

FQP11N40C , pdf , 897 КБ
Datasheet FQP11N40C , pdf , 798 КБ
Datasheet FQP11N40C , pdf , 392 КБ

FQP11N40C, Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 6,6А, 135Вт, TO220AB, QFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 310 руб.

Техническая документация