FQD9N25TM, Микросхема, Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 142 руб.

Сравнить

Описание

• 100% лавинные испытания
• Типичный низкий уровень заряда затвора 15,5 нК
• Типичный низкий уровень напряжения 15 пФ

Информация

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

FQD9N25TM

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2113039

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.26

Ширина

6.22 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

FQD9N25

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

6.73 mm

Высота

2.39 mm

Id - непрерывный ток утечки

7.4 A

Pd - рассеивание мощности

2.5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

250 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

6.8 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-252-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

420 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Канальный режим

Enhancement

Время нарастания

105 ns

Время спада

45 ns

Типичное время задержки выключения

25 ns

Типичное время задержки при включении

13 ns

Техническая документация

Datasheet FQD9N25TM , pdf , 922 КБ
Datasheet , pdf , 1130 КБ

FQD9N25TM, Микросхема - характеристики, поставщики

Последняя цена 142 руб.

Техническая документация