FQD8P10TM, МОП-транзистор, P Канал, -6.6 А, -100 В, 0.41 Ом, -10 В, -4 В
FQD8P10TM - это силовой полевой МОП-транзистор QFET® с P-каналом, работающий в режиме улучшения, изготовленный с использованием патентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для снижения сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных коммутационных характеристик и высокой устойчивости к лавинной энергии. Он подходит для импульсных источников питания, аудиоусилителей и устройств с регулируемой импульсной мощностью.
• 100% лавинные испытания • 12 нКл Типичный низкий заряд затвора • 30 пФ Типичный низкий Crss
