FQD2N60CTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 1,14А, 44Вт, DPAK, QFET®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 100 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор N-CH/600V/2A/A.QFET

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQD2N60CTM

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1832887

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.35

Ширина

6.22 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

FQD2N60C

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

6.73 mm

Высота

2.39 mm

Id - непрерывный ток утечки

1.9 A

Pd - рассеивание мощности

2.5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

5 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-252-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.6 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Канальный режим

Enhancement

Время нарастания

25 ns

Время спада

28 ns

Типичное время задержки выключения

24 ns

Типичное время задержки при включении

9 ns

Другие названия товара №

FQD2N60CTM_NL

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

1.9A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

2.5W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1093 КБ
Datasheet FQD2N60CTM , pdf , 619 КБ

FQD2N60CTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 1,14А, 44Вт, DPAK, QFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 100 руб.

Техническая документация