FQD20N06TM, МОП-транзистор, N Канал, 16.8 А, 60 В, 0.05 Ом, 10 В, 4 В [TO-252-2]
FQD20N06TM - это силовой полевой МОП-транзистор QFET® с N-канальным режимом улучшения, изготовленный с использованием патентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для снижения сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных коммутационных характеристик и высокой устойчивости к лавинной энергии. Он подходит для импульсных источников питания, аудиоусилителей и устройств с регулируемой импульсной мощностью.
• 100% лавинные испытания • 11,5 нКл Типичный низкий заряд затвора • 25 пФ Типичный низкий Crss
![FQD20N06TM, МОП-транзистор, N Канал, 16.8 А, 60 В, 0.05 Ом, 10 В, 4 В [TO-252-2]](/file/p_img/2150764.jpg)