FQD16N25CTM, МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 250 В, 0.22 Ом, 10 В, 4 В
FQD16N25CTM - это силовой полевой МОП-транзистор QFET® с N-канальным режимом улучшения, изготовленный с использованием патентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для снижения сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных коммутационных характеристик и высокой устойчивости к лавинной энергии. Он подходит для импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности (PFC) и электронных балластов ламп.
• 100% лавинные испытания • 41 нКл Типичный низкий заряд затвора • 68 пФ Типичный низкий Crss
