FQD10N20LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 4,8А; 51Вт; DPAK, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 200V N-Ch QFET Logic Level

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQD10N20LTM

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2084660

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.03

Ширина

6.22 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

FQD10N20L

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

6.73 mm

Высота

2.39 mm

Id - непрерывный ток утечки

7.6 A

Pd - рассеивание мощности

2.5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

9.6 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-252-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

290 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Время нарастания

150 ns

Время спада

95 ns

Типичное время задержки выключения

50 ns

Типичное время задержки при включении

13 ns

Техническая документация

Datasheet FQD10N20LTM , pdf , 908 КБ
Datasheet FQD10N20LTM , pdf , 905 КБ

FQD10N20LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 4,8А; 51Вт; DPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация