ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQD10N20CTM, МОП-транзистор, N Канал, 7.8 А, 200 В, 0.29 Ом, 10 В, 4 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FQD10N20CTM, МОП-транзистор, N Канал, 7.8 А, 200 В, 0.29 Ом, 10 В, 4 В
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
FQD10N20CTM, МОП-транзистор, N Канал, 7.8 А, 200 В, 0.29 Ом, 10 В, 4 В
Последняя цена
89 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор N-CH/200V/10A/QFET
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FQD10N20CTM
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1811483
Технические параметры
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252AA
Вес, г
0.025
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Полярность транзистора
N Канал
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Напряжение Истока-стока Vds
200В
Непрерывный Ток Стока
7.8А
Пороговое Напряжение Vgs
4В
Рассеиваемая Мощность
50Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.29Ом
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 653 КБ