FQB5N50CTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 2,9А, 73Вт, D2PAK, QFET®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 230 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQB5N50CTM

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2167077

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.66

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Ширина

9.65мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

800

Серия

QFET

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

10.67мм

Высота

4.83мм

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Id - непрерывный ток утечки

5 A

Pd - рассеивание мощности

73 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

5.2 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-263-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное рассеяние мощности

73 W

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

1.4 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

480 pF@ 25 V

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.4 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Канальный режим

Enhancement

Время нарастания

46 ns

Время спада

48 ns

Коммерческое обозначение

QFET

Типичное время задержки выключения

50 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Типичное время задержки включения

12 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

18 нКл при 10 В

Другие названия товара №

FQB5N50CTM_NL

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

73W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet FQB5N50CTM , pdf , 480 КБ
Datasheet FQB5N50CTM , pdf , 588 КБ
Datasheet , pdf , 587 КБ

FQB5N50CTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 2,9А, 73Вт, D2PAK, QFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 230 руб.

Техническая документация