FQB34N20LTM, МОП-транзистор, N Канал, 31 А, 200 В, 0.075 Ом, 10 В, 2 В
FQB34N20LTM - это силовой полевой МОП-транзистор QFET® с N-канальным режимом улучшения, изготовленный с использованием патентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для снижения сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных коммутационных характеристик и высокой устойчивости к лавинной энергии. Он подходит для импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности (PFC) и электронных балластов ламп.
• Требование к низкоуровневому приводу затвора, позволяющее прямую работу от логических драйверов • 100% протестировано в лавине • Типичный низкий заряд затвора 55 нКл • Типичный низкий коэффициент напряжения 52 пФ
