FQAF11N90C, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 4,4А, 120Вт, TO3PF, QFET®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 640 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-CH/900V/7A/A.QFET

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQAF11N90C

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2129488

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

5.68

Mounting Type

Through Hole

Ширина

5.7 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

360

Серия

FQAF11N90C

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

15.7 mm

Высота

26.7 mm

Id - непрерывный ток утечки

7.2 A

Pd - рассеивание мощности

120 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

900 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-3PF-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

FQAF1 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-3P-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-3PF

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.1 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

7A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3290pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

120W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 3.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Series

QFETВ® ->

Qg - заряд затвора

80 nC

Время нарастания

130 ns

Время спада

85 ns

Коммерческое обозначение

QFET

Типичное время задержки выключения

130 ns

Типичное время задержки при включении

60 ns

Другие названия товара №

FQAF11N90C_NL

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 941 КБ
fqaf11n90c-d , pdf , 942 КБ
Datasheet FQAF11N90C , pdf , 937 КБ

FQAF11N90C, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 4,4А, 120Вт, TO3PF, QFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 640 руб.

Техническая документация