FQA70N10, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 49,5А, 214Вт, TO3PN, QFET®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 490 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 100V N-Channel QFET

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQA70N10

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1832443

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

5.14

Тип корпуса

TO-3PN

Mounting Type

Through Hole

Ширина

5мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

450

Серия

QFET

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

15.8мм

Высота

18.9мм

Размеры

15.8 x 5 x 18.9мм

Id - непрерывный ток утечки

70 A

Pd - рассеивание мощности

214 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

48 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-3PN-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

FQA7 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-3PN

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

70 A

Максимальное рассеяние мощности

214 W

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

23 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

2500 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

25 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

70A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

214W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 35A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Series

QFETВ® ->

Время нарастания

470 ns

Время спада

160 ns

Коммерческое обозначение

QFET

Типичное время задержки выключения

130 ns

Типичное время задержки при включении

30 ns

Типичное время задержки включения

30 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

85 нКл при 10 В

Другие названия товара №

FQA70N10_NL

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

70A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

214W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet FQA70N10 , pdf , 2472 КБ
Datasheet FQA70N10 , pdf , 2467 КБ
Datasheet , pdf , 2466 КБ

FQA70N10, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 49,5А, 214Вт, TO3PN, QFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 490 руб.

Техническая документация