FQA6N90C_F109, N Канал, 6 А, 900 В, 1.93 Ом, 10 В, 5, Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 470 руб.

Сравнить

Описание

• Низкий заряд затвора (30 нКл)
• Низкий Crss (11 пФ)
• 100% лавинные испытания

Информация

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

FQA6N90C_F109

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1808648

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

6.401

Максимальный непрерывный ток стока

6 A

Максимальное рассеяние мощности

198 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5мм

Высота

18.9мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

2.3 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

900 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

15.8мм

Серия

QFET

Типичное время задержки выключения

55 нс

Тип корпуса

TO-3PN

Размеры

15.8 x 5 x 18.9мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

35 ns

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

30 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1360 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Техническая документация

Datasheet FQA6N90C-F109 , pdf , 2314 КБ
Datasheet FQA6N90C-F109 , pdf , 2077 КБ

FQA6N90C_F109, N Канал, 6 А, 900 В, 1.93 Ом, 10 В, 5 - характеристики, поставщики

Последняя цена 470 руб.

Техническая документация