FQA30N40, Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 30А, 290Вт, TO3P, QFET®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 730 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 400V N-Channel QFET

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQA30N40

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2123959

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

5.16

Mounting Type

Through Hole

Ширина

5 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

450

Серия

FQA30N40

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

16.2 mm

Высота

20.1 mm

Id - непрерывный ток утечки

30 A

Pd - рассеивание мощности

290 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

400 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

20 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-3PN-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

FQA3 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-3PN

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

140 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

30A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4400pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

290W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 15A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Series

QFETВ® ->

Qg - заряд затвора

120 nC

Время нарастания

320 ns

Время спада

170 ns

Коммерческое обозначение

QFET

Типичное время задержки выключения

190 ns

Типичное время задержки при включении

80 ns

Другие названия товара №

FQA30N40_NL

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet FQA30N40 , pdf , 2284 КБ

FQA30N40, Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 30А, 290Вт, TO3P, QFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 730 руб.

Техническая документация