ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQA140N10 транзистор, MOSFET N-CHANNEL 100V 140A TO-3P(N) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FQA140N10 транзистор, MOSFET N-CHANNEL 100V 140A TO-3P(N)
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQA140N10 транзистор, MOSFET N-CHANNEL 100V 140A TO-3P(N)
Последняя цена
478 руб.
Сравнить
Описание
QFET® N-канальный МОП-транзистор, более 31 А, Fairchild Semiconductor
Новые планарные МОП-транзисторы QFET® компании Fairchild® используют передовую запатентованную технологию, обеспечивающую лучшие в своем классе рабочие характеристики для широкого круга потребителей. диапазон приложений, включая источники питания, PFC (коррекция коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, панели плазменных дисплеев (PDP), осветительные балласты и управление движением.
Они обеспечивают снижение потерь в открытом состоянии за счет снижения сопротивления во включенном состоянии ( RDS (вкл.)) И снижение потерь переключения за счет снижения заряда затвора (Qg) и выходной емкости (Coss). Используя передовую технологию процесса QFET®, Fairchild может предложить улучшенный показатель качества (FOM) по сравнению с конкурирующими устройствами планарных MOSFET.
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FQA140N10 транзистор
P/N
FQA140N10
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1813517
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
140 А
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5мм
Высота
18.9мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
10 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
15.8мм
Серия
QFET
Типичное время задержки выключения
350 ns
Тип корпуса
TO-3PN
Размеры
15.8 x 5 x 18.9мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
75 ns
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
220 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
6100 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Техническая документация
Datasheet FQA140N10 , pdf
, 2505 КБ
Datasheet , pdf
, 2505 КБ