FP50R12KS4CBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 70 А, 3.2 В, 360 Вт, 125 °C, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 27820 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и Модули

Модуль IGBT Одиночный, 1200 В, 70 А, 360 Вт, модуль для монтажа на шасси

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

FP50R12KS4CBOSA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1233797

Технические параметры

Base Product Number

FP50R12 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 125В°C

Package

Bulk

Package / Case

Module

REACH Status

REACH Unaffected

Supplier Device Package

Module

Current - Collector (Ic) (Max)

70A

Power - Max

360W

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Максимальная рабочая температура

125 C

Configuration

Single

Вес, г

0.1

Current - Collector Cutoff (Max)

5mA

Input

Standard

Input Capacitance (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

NTC Thermistor

Yes

DC Ток Коллектора

70А

IGBT Configuration

PIM Three Phase Input Rectifier

IGBT Technology

IGBT 2 Fast

IGBT Termination

Press Fit

Максимальная Температура Перехода Tj

125 C

Напряжение Коллектор-Эмиттер

1.2кВ

Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)

3.2В

Полярность Транзистора

N Канал

Рассеиваемая Мощность

360Вт

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Линейка Продукции

EconoPIM Series

Техническая документация

Datasheet FP50R12KS4CBOSA1 , pdf , 180 КБ

FP50R12KS4CBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 70 А, 3.2 В, 360 Вт, 125 °C - характеристики, поставщики

Последняя цена 27820 руб.

Техническая документация