FP35R12W2T4B11BOMA1, , EASY2B , N-Channel 3 Phase Bridge IGBT Module, 54 A max, 1200 V, PCB Mount, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 5590 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Модули IGBT, Infineon
Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения для переключения частот до 60 кГц.
IGBT охватывают ряд силовых модулей, таких как пакеты ECONOPACK с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, полумостовые прерыватели PrimePACK IGBT с NTC до 1600/1700 В. PrimePACK IGBT можно найти в промышленных, коммерческих, строительных и сельскохозяйственных транспортных средствах. Модули N-Channel TRENCHSTOP TM и Fieldstop IGBT подходят для приложений с жестким и мягким переключением, таких как инверторы, ИБП и промышленные приводы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

FP35R12W2T4B11BOMA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1233792

Технические параметры

Тип корпуса

EASY2B

Тип монтажа

Монтаж на печатную плату

Brand

Infineon

Package Type

EASY2B

Base Product Number

FP35R12 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на печатную плату

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

Module

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

Module

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

56.7мм

Transistor Configuration

Трехфазный

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 В

Maximum Continuous Collector Current

54 А

Maximum Power Dissipation

215 W

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Width

48мм

Pin Count

35мм

Dimensions

56.7 x 48 x 12mm

Switching Speed

1МГц

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Channel Type

Конфигурация транзистора

Трехфазные

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

54 A

Максимальное рассеяние мощности

215 Вт

Минимальная рабочая температура

-40 C

Высота

12мм

Число контактов

Скорость переключения

1МГц

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Current - Collector (Ic) (Max)

54A

Power - Max

215W

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+150 C

Страна происхождения

IGBT Type

Trench Field Stop

Конфигурация

3-фазный мост

Configuration

3 Phase Bridge

Вес, г

Current - Collector Cutoff (Max)

1mA

Input

Standard

Input Capacitance (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

NTC Thermistor

Yes

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 695 КБ
Datasheet FS25R12W1T4B11BOMA1 , pdf , 209 КБ
Datasheet , pdf , 641 КБ

FP35R12W2T4B11BOMA1, , EASY2B , N-Channel 3 Phase Bridge IGBT Module, 54 A max, 1200 V, PCB Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 5590 руб.

Техническая документация