ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FP35R12KT4B11BOSA1, , ECONO2 , N-Channel 3 Phase Bridge IGBT Module, 35 A max, 1200 V, PCB Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
FP35R12KT4B11BOSA1, , ECONO2 , N-Channel 3 Phase Bridge IGBT Module, 3…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FP35R12KT4B11BOSA1, , ECONO2 , N-Channel 3 Phase Bridge IGBT Module, 35 A max, 1200 V, PCB Mount
Последняя цена
8930 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Модули IGBT, Infineon
Модули IGBT
Infineon
предлагают низкие потери переключения для переключения частот до 60 кГц.
IGBT охватывают ряд силовых модулей, таких как пакеты ECONOPACK с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, полумостовые прерыватели PrimePACK IGBT с NTC до 1600/1700 В. PrimePACK IGBT можно найти в промышленных, коммерческих, строительных и сельскохозяйственных транспортных средствах. Модули N-Channel TRENCHSTOP TM и Fieldstop IGBT подходят для приложений с жестким и мягким переключением, таких как инверторы, ИБП и промышленные приводы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
FP35R12KT4B11BOSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1233789
Технические параметры
Brand
Infineon
Package Type
ECONO2
Base Product Number
FP35R12 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Mounting Type
Монтаж на печатную плату
Operating Temperature
-40В°C ~ 150В°C
Package
Tray
Package / Case
Module
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
Module
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
107.5мм
Transistor Configuration
Трехфазный
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 В
Maximum Continuous Collector Current
35 A
Maximum Power Dissipation
210 Вт
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Width
45мм
Pin Count
23
Dimensions
107.5 x 45 x 17mm
Switching Speed
1МГц
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N
Высота
17мм
Current - Collector (Ic) (Max)
35A
Power - Max
210W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
IGBT Type
Trench Field Stop
Configuration
3 Phase Bridge
Вес, г
179
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
2nF @ 25V
NTC Thermistor
Yes
Техническая документация
Datasheet FP35R12KT4B11BOSA1 , pdf
, 587 КБ
