FP30R06W1E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 37 А, 1.55 В, 115 Вт, 600 В, Module - характеристики, поставщики

FP30R06W1E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 37 А, 1.55 В, 115 Вт, 600 В, Module

Сравнить

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

FP30R06W1E3BOMA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1233788

Максимальная рабочая температура

150 C

DC Ток Коллектора

37А

Напряжение Коллектор-Эмиттер

600в

Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)

1.55В

Полярность Транзистора

N Канал

Рассеиваемая Мощность

115Вт

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Линейка Продукции

EasyPIM 1B Series