ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FP25R12KE3BOSA1, , EconoPIM2 , N-Channel 3 Phase Bridge IGBT Module, 40 A max, 1200 V, PCB Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
FP25R12KE3BOSA1, , EconoPIM2 , N-Channel 3 Phase Bridge IGBT Module, 4…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FP25R12KE3BOSA1, , EconoPIM2 , N-Channel 3 Phase Bridge IGBT Module, 40 A max, 1200 V, PCB Mount
Последняя цена
7880 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Модули IGBT, Infineon
Модули IGBT
Infineon
предлагают низкие потери переключения для переключения частот до 60 кГц.
IGBT охватывают ряд силовых модулей, таких как пакеты ECONOPACK с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, полумостовые прерыватели PrimePACK IGBT с NTC до 1600/1700 В. PrimePACK IGBT можно найти в промышленных, коммерческих, строительных и сельскохозяйственных транспортных средствах. Модули N-Channel TRENCHSTOP TM и Fieldstop IGBT подходят для приложений с жестким и мягким переключением, таких как инверторы, ИБП и промышленные приводы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
FP25R12KE3BOSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1233779
Технические параметры
Производитель
Infineon
Тип корпуса
EconoPIM2
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Brand
Infineon
Base Product Number
FP25R12 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Chassis Mount
Operating Temperature
-40В°C ~ 125В°C (TJ)
Package
Bulk
Package / Case
Module
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
Module
Transistor Configuration
Трехфазные
Длина
107.5мм
Конфигурация транзистора
Трехфазные
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
40 A
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
17мм
Число контактов
24
Размеры
107.5 x 45 x 17мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Current - Collector (Ic) (Max)
40A
Power - Max
155W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+125 °C
IGBT Type
Trench Field Stop
Ширина
45мм
Конфигурация
3-фазный мост
Configuration
Three Phase Inverter
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
1.8nF @ 25V
NTC Thermistor
Yes
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
Datasheet , pdf
, 564 КБ