FP10R12W1T4BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 20 А, 1.85 В, 105 Вт, 1.2 кВ, Module, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3620 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули

Модуль IGBT Trench Field Stop Трехфазный инвертор 1200 В, 20 А, 105 Вт Модуль для монтажа на шасси

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

FP10R12W1T4BOMA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1233698

Технические параметры

Base Product Number

FP10R12 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C

Package

Bulk

Package / Case

Module

REACH Status

REACH Unaffected

Supplier Device Package

Module

Current - Collector (Ic) (Max)

20A

Power - Max

105W

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 10A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

IGBT Type

Trench Field Stop

Configuration

Three Phase Inverter

Current - Collector Cutoff (Max)

1mA

Input

Standard

Input Capacitance (Cies) @ Vce

600pF @ 25V

NTC Thermistor

Yes

FP10R12W1T4BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 20 А, 1.85 В, 105 Вт, 1.2 кВ, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 3620 руб.