ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FJP5027RTU, Транзистор, NPN, 800В, 3А, 50Вт, [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FJP5027RTU, Транзистор, NPN, 800В, 3А, 50Вт, [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
FJP5027RTU, Транзистор, NPN, 800В, 3А, 50Вт, [TO-220]
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT HIGH VOLTAGE &
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FJP5027RTU
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749494
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
1000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
50
Корпус
to-220
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
15
Техническая документация
FJP5027 datasheet , pdf
, 62 КБ
Datasheet , pdf
, 241 КБ
Datasheet FJP5027RTU , pdf
, 239 КБ